單極型半導體器件是一種主要依靠一種載流子（多數載流子）參與導電的半導體器件...單極型半導體器件是一種主要依靠一種載流子（多數載流子）參與導電的半導體器件。這類器件通過電場效應控制電流，而非雙極型器件中電子與空穴同時參與導電機理。
KLM60R090B場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流38A，是采用多層外延工藝的超結...KLM60R090B場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流38A，是采用多層外延工藝的超結MOS，內阻低、抗沖擊能力強，高效低耗；低導通電阻RDS（ON）80mΩ（典型值），最大限...
當按下按鈕SB1，接觸器KM線圈獲電動作，電動機通電，電磁抱閘的線圈YB也通電，...當按下按鈕SB1，接觸器KM線圈獲電動作，電動機通電，電磁抱閘的線圈YB也通電，鐵芯吸引銜鐵而吸合，同時銜鐵克服彈簧拉力，迫使制動杠桿向上移動，從而使制動器的...
電路開關符號是在電路圖中用來表示不同類型電氣開關的圖形符號。在電氣工程設計...電路開關符號是在電路圖中用來表示不同類型電氣開關的圖形符號。在電氣工程設計和電路布線中，正確理解和使用電氣開關符號對于保證電路的可靠性和安全性至關重要。...
KNP6450B場效應漏源電壓500V，漏極電流13A，低導通電阻RDS(on) 0.35Ω，最大限...KNP6450B場效應漏源電壓500V，漏極電流13A，低導通電阻RDS(on) 0.35Ω，最大限度地減少導通損耗，高效率低損耗，性能優越；具備快速切換特性，實現快速切換電源；...
當HS為高電平時，Q7、Q4導通，Q6關閉，電容C4上的電壓（約14V）經過Q4、D3、R6...當HS為高電平時，Q7、Q4導通，Q6關閉，電容C4上的電壓（約14V）經過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導通。在導通期間，Q5的源極電壓（Phase）接近電源電壓Vdc，所以...
