DC-DC有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如BUCK(降壓)、BOOST(升壓)、BUCK-BOOST(升降壓)三...DC-DC有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如BUCK(降壓)、BOOST(升壓)、BUCK-BOOST(升降壓)三大基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。升壓降壓電路(Boost和Buck電路)通過(guò)電感的儲(chǔ)能與釋放、開(kāi)關(guān)元件...
KNB2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流130A;采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),高密度...KNB2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流130A;采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),高密度電池設(shè)計(jì),極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.0mΩ,低柵極電荷,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,高...
N溝道增強(qiáng)型MOSFET:當(dāng)VGS超過(guò)閾值電壓(VTH)時(shí),ID開(kāi)始增加,曲線呈上升趨勢(shì)...N溝道增強(qiáng)型MOSFET:當(dāng)VGS超過(guò)閾值電壓(VTH)時(shí),ID開(kāi)始增加,曲線呈上升趨勢(shì)。 P溝道增強(qiáng)型MOSFET:當(dāng)VGS低于負(fù)閾值電壓(-VTH)時(shí),ID開(kāi)始增加,曲線呈下降趨...
輸出特性曲線:N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一樣...輸出特性曲線:N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一樣,其輸出特性曲線也可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)幾部分。 轉(zhuǎn)移特性曲...
KLF60R170B漏源擊穿電壓600V,漏極電流22A,n溝道多外延Super-JMOSFET結(jié)合了高...KLF60R170B漏源擊穿電壓600V,漏極電流22A,n溝道多外延Super-JMOSFET結(jié)合了高壓耐壓與低導(dǎo)通電阻的特性,?低導(dǎo)通電阻RDS(on) 150mΩ,超低柵極電荷30.2nc,最大...
電機(jī)要實(shí)現(xiàn)正反轉(zhuǎn)控制,將其電源的相序中任意兩相對(duì)調(diào)即可(換相),通常是V相...電機(jī)要實(shí)現(xiàn)正反轉(zhuǎn)控制,將其電源的相序中任意兩相對(duì)調(diào)即可(換相),通常是V相不變,將U相與W相對(duì)調(diào)節(jié)器,為了保證兩個(gè)接觸器動(dòng)作時(shí)能夠可靠調(diào)換電動(dòng)機(jī)的相序,接...