600v場(chǎng)效應(yīng)管,600v22a,?to220f封裝,KLF60R170B參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-10
KLF60R170B漏源擊穿電壓600V，漏極電流22A，n溝道多外延Super-JMOSFET結(jié)合了高壓耐壓與低導(dǎo)通電阻的特性，低導(dǎo)通電阻RDS(on) 150mΩ，超低柵極電荷30.2nc，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高系統(tǒng)效率。具備超快切換，適用于高頻開關(guān)，100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt能力，抗沖擊能力強(qiáng)，結(jié)電容低，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源等領(lǐng)域，封裝形式：TO-220F，散熱出色。
漏源電壓：600V
漏極電流：22A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：57A
單脈沖雪崩能量：985MJ
功率耗散：36W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：31nC
輸入電容：1250PF
輸出電容：3.5PF
反向傳輸電容：35PF
開通延遲時(shí)間：13nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：55nS
上升時(shí)間：9ns
下降時(shí)間：10ns
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