fet類(lèi)型：JFET,MOSFET,MODFET,MESFET詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2025-09-23
FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）和金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MESFET）、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)管（MODFET）等。
FET的定義
FET （Field Effect Transistor,場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制輸出電流的單極型半導(dǎo)體器件，僅由多數(shù)載流子（電子或空穴）參與導(dǎo)電過(guò)程，屬于電壓控制型器件。
主要類(lèi)型及特點(diǎn)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）
結(jié)構(gòu)：由N型或P型半導(dǎo)體棒構(gòu)成，柵極通過(guò)PN結(jié)控制溝道電流。
分類(lèi)：N溝道（電子導(dǎo)電）和P溝道（空穴導(dǎo)電），均為耗盡型（零柵壓時(shí)導(dǎo)通）。
特點(diǎn)：輸入阻抗高、噪聲低，但開(kāi)關(guān)速度較慢。
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）
結(jié)構(gòu)：柵極與溝道間通過(guò)絕緣層（如二氧化硅）隔離，分為增強(qiáng)型（零柵壓截止）和耗盡型（零柵壓導(dǎo)通）。
N溝道MOSFET：柵極正電壓形成電子溝道。
P溝道MOSFET：柵極負(fù)電壓形成空穴溝道。
金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MESFET）
結(jié)構(gòu)：柵極采用金屬-半導(dǎo)體接觸（非PN結(jié)），常用砷化鎵材料。
應(yīng)用：高頻射頻（RF）和微波電路。
調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)管（MODFET）
MODFET(Modulation-DopedFET)調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)管，也稱HEMT(Electron-Mobility Transistor)高電子遷移率晶體管，也稱TEGFET(two-dimensional electron-gas FET)二維電子氣場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也稱SDHT(Selectively Dopd Heterojuntion transistor)選擇摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管。
它使用兩種具有不同能隙的材料形成異質(zhì)結(jié)，為載流子提供溝道，而不像金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管那樣，直接使用摻雜的半導(dǎo)體而不是結(jié)來(lái)形成導(dǎo)電溝道，即它與MOSFET的結(jié)構(gòu)不同在于導(dǎo)電溝道材料不同。
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