絕緣柵型場效應管和結型場效應管詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-25
結型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結型場效應管分為N溝道和P溝道；絕緣柵型分為增強型和耗盡型（N溝道和P溝道）。
JFET和MOSTFET之間的主要區別在于，通過JFET的電流通過反向偏置PN結上的電場引導，而在MOSFET中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。
結型場效應管（JFET）
依據導電溝道類型分為：
N溝道JFET：溝道由N型半導體構成。
P溝道JFET：溝道由P型半導體構成。
其特性為耗盡型（導電溝道在零偏壓下存在）。
絕緣柵型場效應管（MOSFET）
按導電溝道類型和開啟條件分為：
增強型MOSFET：需要外加柵極電壓才能形成溝道，分N溝道和P溝道。
耗盡型MOSFET：在零柵壓下已有溝道，同樣分為N溝道和P溝道。
絕緣柵型場效應管詳解
MOSFET由源極、漏極和柵極構成。其顯著特點是源、漏極之間沒有p-n結，而是由一層絕緣材料隔開。柵極與基片之間存在一層氧化層，稱為柵氧層。
MOSFET通過調控輸入信號電壓，通過柵極控制輸出電流。柵極電壓影響絕緣層下方的電子濃度，從而控制電流流動。
與JFET相比，MOSFET具有更低的輸入電容、更高的輸入電阻、更好的噪聲特性以及更高的可靠性和穩定性。此外，MOSFET具有更高的絕緣強度，適用于高壓應用場景。
結型場效應管詳解
JFET由一個n型或p型半導體材料構成，其兩端之間夾有一層相反類型的半導體材料（即形成p-n結）。這個p-n結被稱為“通道”。
JFET通過在柵極和源極之間施加電壓來控制電流的流動。當在柵-源之間加負向電壓時，可以保證耗盡層承受反向電壓，在漏-源之間加正向電壓則形成漏極電流。JFET的漏極電流與施加的柵極電壓成正比。
JFET的輸入電阻較高，輸出電阻較低，且具有良好的線性特性。
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