?MOS管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管...?MOS管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他...
MOSFET的封裝形式技術(shù)也直接影響到芯片的性能和品質(zhì)，對(duì)同樣的芯片以不同形式的...MOSFET的封裝形式技術(shù)也直接影響到芯片的性能和品質(zhì)，對(duì)同樣的芯片以不同形式的封裝，也能提高芯片的性能。所以芯片的封裝技術(shù)是非常重要的。以安裝在PCB的方式區(qū)...
在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故...在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因?yàn)槭褂猛粋€(gè)基極（comm...
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙...雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（...
MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:如果MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)...MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:如果MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，易熱損...
現(xiàn)有的很多小信號(hào)放大電路都是由晶體管或MOS管的放大電路構(gòu)成，其功率有限，不...現(xiàn)有的很多小信號(hào)放大電路都是由晶體管或MOS管的放大電路構(gòu)成，其功率有限，不能把電路的功率做得很大。隨著現(xiàn)代逆變技術(shù)的逐步成熟，尤其是SPWM逆變技術(shù)，使信號(hào)...
