MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強型（EnhancementM...MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強型（EnhancementMOS）。 因為場效應管拓展器的輸入阻抗很高，因而耦合電容能夠容量較小，不必運用電...
N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si...N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負離子），故在UCs...
用測電阻法區分結型場效應管的電極對VMOSV溝道增強型場效應管丈量跨導性能時，...用測電阻法區分結型場效應管的電極對VMOSV溝道增強型場效應管丈量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就持平于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此...
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時刻。輸...Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時刻 td(on)：MOS導通延遲時刻，從有駛入電壓上升...
向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容...向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路). Tf :下降時刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 9...
Mosfet參數意義闡明 Features: Vds： DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所...Mosfet參數意義闡明 Features: Vds： DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓 Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻 Id：...
