電焊設備是利用電能，通過加熱加壓，即正負兩極在瞬間短路時產生的高溫電弧，來...電焊設備是利用電能，通過加熱加壓，即正負兩極在瞬間短路時產生的高溫電弧，來熔化電焊條上的焊料和被焊材料，借助金屬原子的結合與擴散作用，使兩件或兩件以上的...
數字集成電路針對離散的數字信號（具有0和1兩種狀態(tài)），實現邏輯運算、數據存儲...數字集成電路針對離散的數字信號（具有0和1兩種狀態(tài)），實現邏輯運算、數據存儲、控制等數字系統功能；模擬集成電路針對連續(xù)變化的模擬信號（如隨時間連續(xù)變化的電...
KCB3010A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A，采用先進SGT技術制造，先進...KCB3010A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A，采用先進SGT技術制造，先進的雙溝道技術降低導通損耗、提高開關性能，極低導通電阻RDS(開啟) 4.0mΩ，高效低耗...
半橋驅動電路是指使用兩個開關器件（通常是MOSFET或IGBT）來控制電機的正向和反...半橋驅動電路是指使用兩個開關器件（通常是MOSFET或IGBT）來控制電機的正向和反向運動。其中一個開關器件被連接到電源正極，另一個器件被連接到電源負極，通過控制...
to220是大功率晶體管、中小規(guī)模集成電路常采用的直插式封裝形式，結構分為自帶...to220是大功率晶體管、中小規(guī)模集成電路常采用的直插式封裝形式，結構分為自帶散熱器的絕緣與非絕緣兩種類型，可通過搭配專用散熱器進一步提升散熱效率 。該封裝設...
KCM2920A場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A，采用?SGT MOSFET工藝制造，...KCM2920A場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A，采用?SGT MOSFET工藝制造，新型溝槽技術，低導通電阻RDS(開啟) 9.0mΩ，低柵極電荷，最小化開關損耗、提高效率...
