廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司-商標(biāo) 深圳市金泰子實(shí)業(yè)有限公司-商標(biāo) 深圳市福...廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司-商標(biāo) 深圳市金泰子實(shí)業(yè)有限公司-商標(biāo) 深圳市福田區(qū)可得電子設(shè)備商行-商標(biāo)
KNX3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)...KNX3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KND3404C滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求, 100%的EAS保證了全部功能的可...
?KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進(jìn)技術(shù)...?KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)。該技術(shù)使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速開關(guān)時(shí)間，低導(dǎo)通電阻，低柵電荷...
region：MOS管的工作區(qū)域，可能值為 0~4，分別對應(yīng)：0： 關(guān)斷；1： 線性區(qū)；2：...region：MOS管的工作區(qū)域，可能值為 0~4，分別對應(yīng)：0： 關(guān)斷；1： 線性區(qū)；2： 飽和區(qū)；3： 亞閾值區(qū)；4： 擊穿
MOS管有如下參數(shù)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下參數(shù)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。 THERMAL RESISTA...
KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國內(nèi)專注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠家生產(chǎn)。...KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國內(nèi)專注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠家生產(chǎn)。KCX2704A是一款SGT工藝產(chǎn)品，是使用LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。改進(jìn)的...
