【MOS管參數】MOS管散熱 功率 電流參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-30
MOS管有如下參數：
Operating Junction ：Tmin-Tmax。
Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。
Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。
THERMAL RESISTANCE：Rjc 。
Drain?to?Source On Resistance：RDS(on)
為防止mos管溫度超過Tmax，因此有如下公式：
Tmax=Rjc*P+TC.
MOS管的功耗主要來自于電流
P=I*I*Ron。
舉例：
當TC=25度的時候:
Power Dissipation=68W.
THERMAL RESISTANCE=2.2.
Rjc*P+TC=2.2*68+25=174.6
器件最高工作溫度是175度，可見是相等的。
Continuous Drain Current=110A.
Drain?to?Source On Resistance：RDS(on)
在175的時候導通電阻=2.8*1.85=5.18。
I*I*RDS(on)=110*110*0.00518=62.678W。
Power Dissipation=68W.
這兩個數據也是很接近的。
TC,TA等于其他溫度的時候，這個關系也是可以驗證的。
因此可以得出結論，mos管的最大電流，最大功耗，這些參數的意義，就是為了保證mos管的Junction溫度不超過最大限值。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
