充電樁,80v80a mos,?3308場效應(yīng)管,?KNB3308A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-04
KNB3308A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷、低交叉，開關(guān)速度快，高效低耗；具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行，確保電路的安全可靠性，無鉛和綠色設(shè)計(jì)，符合環(huán)保要求，品質(zhì)優(yōu)越；廣泛應(yīng)用于儲能電源、充電樁和DC-DC轉(zhuǎn)換器等，封裝形式：TO-263，散熱良好。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：80V
漏極電流：80A
導(dǎo)通電阻：6.2mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
總功耗：240W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：76nC
輸入電容：3110PF
輸出電容：445PF
反向傳輸電容：270PF
開通延遲時間：20.4nS
關(guān)斷延遲時間：63nS
上升時間：67ns
下降時間：43ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
