hy1603,MOS管代換,KNX3406A場效應管參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-22
KNX3406A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，低電阻，在VGS=10V時，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值），最大限度地減少導電損耗，提供卓越的開關性能；高雪崩、電流無鉛和綠色設備可用，穩定可靠；在電源、DC-DC轉換器中廣泛應用，封裝形式：DFN5*6、TO-252。
漏源電壓：60V
漏極電流：80A
漏源通態電阻(RDS(on))：6.5mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：280A
雪崩能量單脈沖：225MJ
總功耗：84.5W
總柵極電荷：104nC
輸入電容：6050PF
輸出電容：170PF
開通延遲時間：14nS
關斷延遲時間：20nS
上升時間：13ns
下降時間：7.5ns
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