STD35P6LLF6參數代換,KIA8606A場效應管中文資料,優質現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-19
KIA8606A采用先進的高單元密度溝槽技術的N溝道MOSFET，漏源擊穿電壓60V，漏極電流為35A，超低柵極電荷，提供卓越的開關性能；100%EAS保證、出色的Cdv/dt效應、綠色設備可用，穩定可靠；KIA8606A能夠代換ST意法半導體STD35P6LLF6，為LED車燈、同步降壓轉換器應用提供出色的RDSON和柵極電荷，KIA3506A封裝形式：TO-252、TO-251。
漏源電壓：60V
漏極電流：35A
漏源通態電阻(RDS(on))：20mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：80A
雪崩能量單脈沖：39.2MJ
總功耗：45W
總柵極電荷：19.3nC
輸入電容：2423PF
輸出電容：145PF
開通延遲時間：7.2nS
關斷延遲時間：36.4nS
上升時間：50ns
下降時間：7.6ns
聯系方式：鄒先生
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