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電路中的場效應管原理圖是什么，增強型MOSFET特性與BJT是否相同？

信息來源：本站　日期：2017-08-04　

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電路中的FET

FET（場效應管）的種類繁多，電路原理圖的符號畫法也有很多種，好在差別都不大，常用的JFET和增強型VMOS的畫法如圖1.33所示。

符號外面是否要帶一個圓圈，則是習慣問題，通常手繪圖考慮到便利性，這個圓圈都是不畫的。在CAD制圖逐漸流行的今大，這個圓圈出現(xiàn)的兒率也有減少的趨勢。需要說明的是，F(xiàn)ET電路符號中的箭頭并不表示電流方向，而是表示電場方向。

體二極管是內置的保護二極管，防止漏極—源極被反向電壓擊穿，這在大功率電路中是非常常見的，這與繼電器電路中常常會在繼電器的線圈兩端畫上一個二極管的功能是一樣的。多數(shù)功率MOSFET均已經(jīng)內置了體二極管，而小功率的MOSFET體二極管則一般不會內置體二極管，電路圖中一般也不會有體二極管出現(xiàn)。

我們已經(jīng)知道JFET具有雙向導電特性，即漏極與源極可以互換，這是有條件的，這個條件就是低電壓、小電流，目前常用的小功率JFET的實際應用也恰恰符合這個條件。MOSFET其實也具備這個特性，但是MOSFET多為功率器件，常用于大電流、高電壓條件，加之內置了體二極管，小功率MOSFET也大多內置了體二極管，這個特性就不能用了。大功率的JFET，如HEMT的電路符號，大多也是有體二極管的。不過有時候二極管是外置的，這時候它的名稱也發(fā)生了改變，不叫“體：極管”而是稱為“續(xù)流二極管”，內置的體二極管也常常會被稱為“續(xù)流二極管”，在功能上，它們的作用也是一樣的。

因為漏極—源極不能反向偏置，因此大電流雙向電子開關需要兩個功率MOSFET來完成，就像圖1.3那樣。

如果你對BJT已經(jīng)比較熟悉（情況常常如此），將FETLk作BJT可以讓我們很快理解FET的偏置電路，就控制功能來說，也是合適的，圖1.34以JFET為例，畫出了二者的對應關系，MOSFET與之相同。

需要注意的是，圖中的對應關系是近似的，實際上，JFET與耗盡型MOS-FET的偏置特性和BJT是相反的，即NPN型的BJT，基極與發(fā)射極之間需要正向偏置（基極電壓高于發(fā)射極電壓），N溝道的JFET，柵極與源極之間需要反向偏置（漏極電壓低于源極電壓）。增強型M()SFET的偏置特性與BJT則是相同的。

至于端子的英文符號是大寫還是小寫，也僅僅是一個使用習慣問題。對于BJT，三個端子的符號，大、小寫出現(xiàn)的概率大致相同；對于FET，大寫則是主流。