p型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體圖解（形成、定義、區(qū)別）-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-04-09
p型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁，由于銦或鋁原子周圍有3個價電子，與周圍4價硅原子組成共價結(jié)合時缺少一個電子，形成一個空穴。空穴相當(dāng)于帶正電的粒子，在這類半導(dǎo)體的導(dǎo)電中起主要作用。
摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強。
在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。由于P型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故P型半導(dǎo)體呈電中性。空穴主要由雜質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。
p型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體圖解如下：
載流子本身分為電子和空穴。多數(shù)載流子指的是“容易移動的載流子”在P型半導(dǎo)體中，電子不夠多，有空穴。實際是電子移動，但是看起來就像空穴（帶正電荷的載流子動了一樣）。
在N型半導(dǎo)體中，電子太多，電子可以自由移動。N和P有點難記憶。因為是反的。N型半導(dǎo)體加入了磷（P），P型半導(dǎo)體加入了硼（B）。磷價較高，加入磷是帶入了更多電子，于是摻了P的半導(dǎo)體多數(shù)載流子是電子。另一種則相反。度變化會導(dǎo)致載流子數(shù)目變化。
如果在本征半導(dǎo)體中摻入少量的雜質(zhì)，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能將會大大的改善。在純凈的半導(dǎo)體硅（Si）中摻入少量的五價磷（P），就構(gòu)成了電子型半導(dǎo)體（簡稱N型半導(dǎo)體）；或三價硼（B）元素，就構(gòu)成了空穴型半導(dǎo)體（簡稱P型半導(dǎo)體）。
在純凈半導(dǎo)體中摻入原子外層有三個電子的硼元素。硼原子與相鄰硅原子形成共價鍵時，因缺少一個電子耳多一個空穴。如右圖所示每摻入一個硼原子就有一個空穴，這種半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴占多數(shù)，自由電子占少數(shù)，空穴是多數(shù)載流子。
同理在純凈的半導(dǎo)體硅中摻入原子外層有五個電子的磷元素，就形成了N型半導(dǎo)體。
P型半導(dǎo)體的“P”表示正電的意思，取自英文Positive的第一個字母。
N型半導(dǎo)體的“N”表示負(fù)電的意思，取自英文Negative的第一個字母。
半導(dǎo)體中有兩種載流子，即價帶中的空穴和導(dǎo)帶中的電子，以電子導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱之為N型半導(dǎo)體，與之相對的，以空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。
在N型半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的 (即導(dǎo)電載體) 主要是帶負(fù)電的電子，這些電子來自半導(dǎo)體中的施主。凡摻有施主雜質(zhì)或施主數(shù)量多于受主的半導(dǎo)體都是N型半導(dǎo)體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導(dǎo)體。
由于N型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故N型半導(dǎo)體呈電中性。自由電子主要由雜質(zhì)原子提供，空穴由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強。
在P型半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導(dǎo)體中的受主。因此凡摻有受主雜質(zhì)或受主數(shù)量多于施主的半導(dǎo)體都是p型半導(dǎo)體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導(dǎo)體就是P型半導(dǎo)體。
由于P型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故P型半導(dǎo)體呈電中性。空穴主要由雜質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強。
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