大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個(gè)限制，器件就容易...大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個(gè)限制，器件就容易被損壞。當(dāng)MOSFET管工作時(shí)運(yùn)用柵極輸入電阻，并在一個(gè)具有較大供電電壓的電路中關(guān)斷...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可區(qū)分為揮發(fā)性與非揮發(fā)件性存儲(chǔ)器兩類．揮發(fā)性存儲(chǔ)器，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)...半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可區(qū)分為揮發(fā)性與非揮發(fā)件性存儲(chǔ)器兩類．揮發(fā)性存儲(chǔ)器，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，若其電源供應(yīng)關(guān)閉，將會(huì)喪失所儲(chǔ)存的信息，相比之下，非揮...
在高壓雙極型開關(guān)晶體管中，“下降時(shí)間”(關(guān)斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅(qū)...在高壓雙極型開關(guān)晶體管中，“下降時(shí)間”(關(guān)斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電流特性曲線的形狀來決定，從基極關(guān)斷驅(qū)動(dòng)申請到真正關(guān)斷沿之間的延時(shí)是存儲(chǔ)...
在驅(qū)動(dòng)MOS晶體管Q2導(dǎo)通期間的開始部分，D1和S2將導(dǎo)通。但是當(dāng)Ql已經(jīng)關(guān)斷并且基...在驅(qū)動(dòng)MOS晶體管Q2導(dǎo)通期間的開始部分，D1和S2將導(dǎo)通。但是當(dāng)Ql已經(jīng)關(guān)斷并且基—射結(jié)間的恢復(fù)電流已經(jīng)變?yōu)榱愕臅r(shí)候，在繞組P2的電壓通過R1使Dl和S2反偏關(guān)斷。所有...
在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般選用反向恢復(fù)時(shí)悶較短的整流二極管，常...在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般選用反向恢復(fù)時(shí)悶較短的整流二極管，常用的主要有快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基勢壘二極管。快恢復(fù)二極管和超快恢...
功率開關(guān)管的種類很多，如巨型晶體管GTR、快速晶閘管SCR、門極可關(guān)斷晶閘管GTO...功率開關(guān)管的種類很多，如巨型晶體管GTR、快速晶閘管SCR、門極可關(guān)斷晶閘管GTO、功率場效應(yīng)晶體管P- MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等。雙極結(jié)型晶體管( BJT)是一...
