全橋電路兩個橋臂之一,例如開關(guān)Q1和Q4組成方向臂,當調(diào)制信號us>0時,Q1導通,...全橋電路兩個橋臂之一,例如開關(guān)Q1和Q4組成方向臂,當調(diào)制信號us>0時,Q1導通,而Q4關(guān)斷,輸出的平均電壓大于零;當調(diào)制信號us<0時,Q4導通,而Q1關(guān)斷,輸出的平均...
三相電壓型逆變器結(jié)構(gòu)如圖所示。VT1-VT6 為六個功率開關(guān)管,由六路 PWM 信號進...三相電壓型逆變器結(jié)構(gòu)如圖所示。VT1-VT6 為六個功率開關(guān)管,由六路 PWM 信號進行控制,逆變器輸出為 ua、ub 和 uc,控制無刷電機的三相線圈通斷,F(xiàn)OC控制下,輸出...
KCT012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V,漏極電流305A ,采用先進的MOS技術(shù)制造,...KCT012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V,漏極電流305A ,采用先進的MOS技術(shù)制造,極低導通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ,卓越的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),減少開關(guān)損耗,提高...
開關(guān)控制: 同一橋臂的上下管互補導通,避免直通短路(需加入死區(qū)時間)。 在...開關(guān)控制: 同一橋臂的上下管互補導通,避免直通短路(需加入死區(qū)時間)。 在正弦波正半周,一對角開關(guān)交替導通;負半周切換至另一對角,實現(xiàn)交流極性反轉(zhuǎn)。
PWM逆變電路的原理是通過控制功率開關(guān)器件(如MOSFET或IGBT)的通斷時序,生成...PWM逆變電路的原理是通過控制功率開關(guān)器件(如MOSFET或IGBT)的通斷時序,生成寬度可變的等幅脈沖序列,從而將直流電(DC)高效地轉(zhuǎn)換為可調(diào)電壓和頻率的交流電(...
KCT050N08N場效應管漏源擊穿電壓85V,漏極電流120A ,采用先進的MOS技術(shù)制造,...KCT050N08N場效應管漏源擊穿電壓85V,漏極電流120A ,采用先進的MOS技術(shù)制造,極低導通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ,卓越的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),減少開關(guān)損耗,提高...