3N80現貨供應商 KIA3N80 3.0A/800V PDF文件下載 3N80參數資料-KIA官網
信息來源：本站 日期：2018-02-06
KIA3n80hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。
特征
RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的13nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
參數
產品型號：KIA3N80
工作方式：3.0A/800V
漏源電壓：800V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：3A
脈沖漏極電流：12A
雪崩能量：320mJ
耗散功率：39W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：800V
溫度系數：1V/℃
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：543 PF
輸出電容：54 PF
上升時間：43.5 ns
封裝形式：TO-220F
 |
KIA3N80 |
| 產品編號 | KIA3M80（3.0A 800V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品特征 |
RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的13nc） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
KIA3n80hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。 |
| 封裝形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | m.www-94770.com |
| PDF頁總數 | 總6頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
