源極漏極柵極詳解,mos管源極漏極柵極區(qū)分-KIA MOS管

源極漏極柵極

柵極（G）、源極（S）、漏極（D）是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET，包括MOSFET和JFET）的三個(gè)電極。

1.柵極（Gate,G）

功能：控制溝道導(dǎo)通/關(guān)斷的控制極，通過(guò)柵極電壓（VGS）調(diào)節(jié)源漏之間的電流。

特性：

絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOSFET）：柵極與溝道通過(guò)氧化物絕緣，輸入阻抗極高。

電壓控制：僅需電場(chǎng)效應(yīng)即可控制電流，幾乎無(wú)柵極電流。

關(guān)鍵參數(shù)：

閾值電壓（Vth）：使溝道導(dǎo)通的柵源電壓。

柵極電容（Cgs,Cgd)：影響開關(guān)速度。

2.源極（Source,S）

功能：載流子（電子或空穴）的發(fā)射端，電流從源極流入溝道（N溝道FET中為電子源，P溝道中為空穴源）。

特性：

通常與襯底（Body）連接以固定電位（增強(qiáng)型MOSFET中常接電位端）。

在對(duì)稱結(jié)構(gòu)中，源極和漏極可互換（實(shí)際應(yīng)用需按工藝設(shè)計(jì)區(qū)分）。

3.漏極（Drain,D）

功能：載流子的收集端，電流從溝道流向漏極（N溝道FET中漏極接高電位）。

特性：

承受較高電壓（如功率MOSFET中VDS可達(dá)數(shù)百伏）。

與源極的區(qū)分：在集成電路中，漏極通常連接負(fù)載或電源。

mos管源極漏極柵極區(qū)分

源極（Source)

定義：電流的起點(diǎn)或終點(diǎn)，通常接地或連接電源。

特點(diǎn)：在NMOS中，源極通常接地；在PMOS中，源極通常接電源正極。

漏極（Drain)

定義：電流的終點(diǎn)或起點(diǎn)，與源極形成導(dǎo)通路徑。

特點(diǎn)：漏極與源極之間的電壓差（VDS）影響導(dǎo)通狀態(tài)，高頻電路中需嚴(yán)格區(qū)分漏極與源極。

柵極(Gate)

定義：控制導(dǎo)通的電壓輸入端，通過(guò)柵源電壓（VGS）調(diào)節(jié)溝道導(dǎo)電性。

特點(diǎn)：柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣層，無(wú)電流通過(guò)，僅需電壓驅(qū)動(dòng)。

通過(guò)電路符號(hào)區(qū)分

源極（S）：在符號(hào)中始終表現(xiàn)為兩條導(dǎo)線的交叉點(diǎn)，負(fù)責(zé)為導(dǎo)電溝道提供載流子（電子或空穴），是電流的輸入或輸出端。

漏極（D）：在符號(hào)中為單獨(dú)引線的一側(cè)，作為電流的輸出端或輸入端，與源極構(gòu)成電流通路。

柵極（G）：通常獨(dú)立于交叉點(diǎn)，是控制極，用于接收外部信號(hào)以調(diào)節(jié)溝道導(dǎo)通。

使用萬(wàn)用表測(cè)量電阻

1.判定柵極（G）：將萬(wàn)用表調(diào)至R×1k檔，黑表筆任意接一引腳，紅表筆依次測(cè)另兩引腳。若兩次電阻值近似相等（高阻態(tài)），則黑表筆所接為柵極。

2.區(qū)分源極（S）和漏極（D）：

將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔或R×1檔，黑表筆接中間引腳（假設(shè)為漏極D），紅表筆測(cè)兩側(cè)引腳。若僅一側(cè)導(dǎo)通（顯示0.3-0.7V），則紅表筆側(cè)為源極（S），另一側(cè)為柵極（G）。

或直接測(cè)量S-D間電阻：黑表筆接源極（S）、紅表筆接漏極（D）時(shí)，正向電阻較低（幾歐至十幾歐）；反向電阻較高。交換表筆后電阻值較高的一次，黑表筆所接為源極。

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