80r240,800v18a,KLM80R240B場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2025-10-30
KLM80R240B超結(jié)MOSFET是一種采用多層外延工藝的功率半導(dǎo)體器件，通過(guò)優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低內(nèi)阻、高抗浪涌能力和快速開(kāi)關(guān)特性。80r240漏源擊穿電壓800V，漏極電流18A，低導(dǎo)通電阻RDS(on) 205mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；還具有高耐壓特性和低電阻特性，超快切換、100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt能力，抗沖擊能力強(qiáng)，結(jié)電容低，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于高壓、高電流場(chǎng)景，工業(yè)設(shè)備等，封裝形式：TO-247，散熱出色。
漏源電壓：800V
漏極電流：18A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：54A
單脈沖雪崩能量：690MJ
功率耗散：208W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：45nC
輸入電容：2020PF
輸出電容：1.6PF
反向傳輸電容：22PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：55nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：40nS
上升時(shí)間：20ns
下降時(shí)間：30ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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