830場效應(yīng)管,500vmos???,to252,?KIA830HD參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-28
KIA830HD場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.0Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；器件具有低電阻和低柵極電荷的特點，符合RoHS環(huán)保要求，穩(wěn)定可靠，在峰值電流或脈沖寬度方面，都能夠表現(xiàn)出卓越的性能；830場效應(yīng)管可以替代irf830、5n50場效應(yīng)管型號應(yīng)用在HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中；封裝形式：TO-252，散熱出色。
漏源電壓：500V
漏極電流：5A
柵源電壓：±20V
最大功耗：100W
開啟電壓：2~4V
總柵極電荷：20nC
輸入電容：730PF
輸出電容：80PF
反向傳輸電容：8PF
開通延遲時間：13nS
關(guān)斷延遲時間：40nS
上升時間：15ns
下降時間：20ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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