350v場效應(yīng)管,6035場效應(yīng)管,to220,KIA6035AP參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-22
KIA6035AP場效應(yīng)管漏源擊穿電壓350V，漏極電流11A，采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.6Ω，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)電阻，提供卓越的開關(guān)性能；并在雪崩模式和換向模式下承受高能量脈沖。還具有低柵極電荷、高耐用性、快速開關(guān)能力、指定的雪崩能量和改進(jìn)的dv/dt能力，在運(yùn)行中高效穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于高效開關(guān)電源，以及基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正系統(tǒng)等；封裝形式：TO-220，散熱良好。
漏源電壓：350V
漏極電流：11A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：36A
雪崩能量單脈沖：423MJ
最大功耗：99W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15nC
輸入電容：844PF
輸出電容：162PF
反向傳輸電容：4PF
開通延遲時(shí)間：25nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：77nS
上升時(shí)間：23.5ns
下降時(shí)間：47.5ns
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