電源切換mos,3310場效應管,to263封裝,?KCB3310A參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-18
KCB3310A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流90A，采用先進的SGT技術制造，極低導通電阻RDS（導通）僅為5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、開關速度快、卓越的穩定性和均勻性、快速切換和軟恢復，高效可靠，適用于電源切換應用、硬開關和高頻電路、不間斷電源等；封裝形式：TO-263。
漏源電壓：100V
漏極電流：90A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
總功耗：166W
閾值電壓：2.8V
總柵極電荷：66nC
輸入電容：4600PF
輸出電容：1250PF
反向傳輸電容：43PF
開通延遲時間：17.6nS
關斷延遲時間：33.6nS
上升時間：30.2ns
下降時間：39.6ns
聯系方式：鄒先生
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