60R170,600v22a場效應管,to220封裝,KLP60R170B參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-02
KLP60R170B是一款n溝道多外延Super-JMOSFET，漏源擊穿電壓600V，漏極電流22A，低導通電阻RDS(on) 150mΩ，超低柵極電荷30.2nc，最大限度地減少導電損耗，減少功耗提高系統效率；具有高耐壓特性和低電阻特性，超快切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，抗沖擊能力強，結電容低，穩定可靠；廣泛應用于開關電源等領域，封裝形式：TO-220，散熱出色。
漏源電壓：600V
漏極電流：22A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：57A
單脈沖雪崩能量：985MJ
功率耗散：36W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：31nC
輸入電容：1250PF
輸出電容：3.5PF
反向傳輸電容：35PF
開通延遲時間：13nS
關斷延遲時間：55nS
上升時間：9ns
下降時間：10ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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