80R240場效應(yīng)管,800Vmos管,to220f,KLF80R240B參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-01
KLF80R240B是一款n溝道多外延Super-JMOSFET，漏源擊穿電壓800V，漏極電流18A，低導通電阻RDS(on) 205mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，能夠減少功耗并提高效率；具有高耐壓特性和低電阻特性，超快切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，抗沖擊能力強，結(jié)電容低，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源等領(lǐng)域，封裝形式：TO-220F，散熱出色。
漏源電壓：800V
漏極電流：18A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：54A
單脈沖雪崩能量：690MJ
功率耗散：83W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：45nC
輸入電容：2020PF
輸出電容：1.6PF
反向傳輸電容：22PF
開通延遲時間：55nS
關(guān)斷延遲時間：40nS
上升時間：20ns
下降時間：30ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
