場效應管的夾斷電壓是什么？-KIA MOS管

場效應管夾斷電壓

場效應管的關鍵參數：

開啟電壓VGS(th)（或VT）

開啟電壓是MOS增強型管的重要參數。當柵源電壓小于開啟電壓的絕對值時，場效應管將無法導通。

夾斷電壓VGS(off)（或VP）

夾斷電壓是耗盡型場效應管（FET）的關鍵參數。當柵源電壓VGS等于夾斷電壓VGS(off)時，漏極電流將降至為零。

夾斷電壓是場效應管（FET）的核心參數，指在柵源電壓控制下使導電溝道完全夾斷的臨界電壓值。對于結型場效應管（JFET）和耗盡型MOS管，該參數體現為漏極電流趨近于零時的柵源電壓閾值。該參數直接影響器件工作區域的劃分，是區分飽和區與截止區的重要指標。

場效應管夾斷電壓

參數特性

數值范圍：N溝道器件通常為負值，P溝道為正值。

影響因素：由器件物理結構（如溝道摻雜濃度、寬度等）決定。

場效應管的夾斷電壓與截止電壓

夾斷電壓（VP）是指當場效應管的漏極-源極電壓（VDS）增大到一定程度時，溝道被夾斷，電流無法繼續增大，場效應管進入恒流區的臨界電壓。而截止電壓（VGS(off)）則是指柵極-源極之間的反向電壓增大到一定程度時，場效應管的輸出電流降為零，器件進入截止區的電壓。

場效應管夾斷電壓

從半導體物理的角度來看，夾斷電壓和截止電壓都源于PN結的耗盡層效應。當場效應管的漏極-源極電壓（VDS）增大時，漏極與柵極之間的反向電壓也隨之增大，導致PN結的耗盡層變厚，溝道逐漸變窄。當VDS達到夾斷電壓時，溝道被完全夾斷，電流無法繼續增大，場效應管進入恒流區。同樣地，當柵極-源極之間的反向電壓（VGS）增大到截止電壓時，耗盡層進一步加寬，溝道被完全閉合，電流降為零，場效應管進入截止區。因此，無論是夾斷電壓還是截止電壓，它們的本質都是耗盡層的擴展導致溝道的閉合。

場效應管夾斷電壓