7n65f參數及代換,KNX4665B場效應管參數引腳圖規格書-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-09-03
KNX4665B場效應管可以替代7n65型號應用在DCDC轉換器、電源適配器、鎮流器、LED驅動中，漏源擊穿電壓650V，漏極電流7A，能夠承受較大的電壓壓力及良好的導電性能；RDS（ON）的典型值為1.1Ω，低導通電阻，低柵極電荷最小化，有效降低開關損耗，提升整體性能；符合ROHS標準、配備快速恢復體二極管，可以有效減少反向恢復時間，提高開關速度，封裝形式：TO-252、TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：7A
漏源通態電阻(RDS(on))：1.1Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：400MJ
最大功耗：75/42W
輸入電容：1048PF
輸出電容：98PF
總柵極電荷：24nC
開通延遲時間：12nS
關斷延遲時間：34nS
上升時間：12ns
下降時間：14ns
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