1n65場效應管,1n65參數引腳圖,1A 650V,KIA1N65H-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-02
KIA1N65H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高壓、高速電源開關應用而設計的理想選擇，在開關穩壓器、開關轉換器、螺線管、電機驅動器以及繼電器驅動器等應用中都能發揮出色的性能。
1n65場效應管漏極電流1A，漏源電壓高達650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC，提供高堅固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進的dv/dt能力，保證了在各種應用場景下的穩定性和可靠性。封裝形式有TO-252、TO-251和TO-92，滿足不同設計需求。KIA1N65H是一款性能優越、適用廣泛的MOSFET，能夠在各種高壓、高速電源開關應用中展現出色的表現。
漏源電壓：650V
漏極電流：1A
漏源通態電阻(RDS(on))：9.3Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：4.0A
雪崩能量單脈沖：33MJ
最大功耗：28W
輸入電容：120PF
輸出電容：20PF
總柵極電荷：4.8nC
開通延遲時間：7nS
關斷延遲時間：13nS
上升時間：21ns
下降時間：27ns
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