KIA超高壓MOSFET 1000-1500V，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白-KIA MOS管

放眼半導(dǎo)體市場(chǎng)，現(xiàn)階段1000-1500V超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，且存在價(jià)格高，交付周期長(zhǎng)等弊端。對(duì)此可易亞半導(dǎo)體（KIA）針對(duì)1000V超高壓MOS產(chǎn)品進(jìn)行了大量的技術(shù)革新，通過多年的產(chǎn)品技術(shù)積累，開發(fā)出耐壓更高，導(dǎo)通內(nèi)阻更低的超高壓MOS管，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面，也降低了客戶對(duì)國(guó)外產(chǎn)品的依存度。

超高耐壓的器件主要應(yīng)用場(chǎng)景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅(qū)動(dòng)電源、充電樁，光伏逆變器等輔助電源。

國(guó)內(nèi)專注研發(fā)優(yōu)質(zhì)MOS管廠家KIA半導(dǎo)體生產(chǎn)的超高壓MOSFET--KNX41100A可代換型號(hào)：東芝2SK1119，艾賽斯IXFP4N100。

KIA超高壓MOSFET-KNX41100A產(chǎn)品資料

超高壓MOSFET-KNX41100A漏源擊穿電壓高達(dá)1000V，漏極電流最大值為2A，適用于適配器、充電器、SMPS備用電源等。

KNX41100A的開啟延遲典型值為8nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為36nS，上升時(shí)間6nS，下降時(shí)間15nS，反向傳輸電容4pF，反向恢復(fù)時(shí)間320nS，正向電壓的典型值1.5V。

KNX41100A的導(dǎo)通阻抗典型值為9.6Ω。最大功耗為60W，最大結(jié)溫為150℃。此產(chǎn)品的儲(chǔ)存溫度在-55到150℃，適用于大部分環(huán)境。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

RDS(ON),typ.=9.6Ω@VGS=10V

低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化

快速恢復(fù)體二極管

KNX41100A 1000V MOS管

圖：KNX41100A引腳配置

KNX41100A 1000V MOS管

圖：KNX41100A規(guī)格書

KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴；主動(dòng)了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

KNX41100A 1000V MOS管