4個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)的全橋電路原理-KIA MOS管

全橋驅(qū)動(dòng)電路

全橋電路在實(shí)際的項(xiàng)目中運(yùn)用的也比較多(比如電機(jī)，半導(dǎo)體制冷片等)，有時(shí)候全橋芯片會(huì)達(dá)不到我們的需求(比如功率特別大的時(shí)候)，這時(shí)就需要搭建一個(gè)符合我們需求的電路。

電路如下所示：由兩片IRF2104,、4片IIRF3703、兩個(gè)二極管和兩個(gè)10UF的電容組成。

C1、C2是自舉電容；

D1、D2自舉二極管；

IRF3703構(gòu)成H橋的4個(gè)橋臂；

MOS管全橋電路

全橋電路

掌握此電路的核心就是要弄懂自舉電路是如何工作的？

下面簡(jiǎn)單介紹一下自舉電路：

自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極管,自舉升壓電容等電子元件，利用電容不能突變的特性使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高。

如下圖所示當(dāng)開(kāi)關(guān)S1接3時(shí)MOS管導(dǎo)通此時(shí)C1負(fù)極與地相接電源通過(guò)D1、MOS管對(duì)電容進(jìn)行充電當(dāng)電路穩(wěn)定之后電容正端電壓對(duì)地為12V，負(fù)端對(duì)地電壓為0V。

MOS管全橋電路

充電電路

當(dāng)如下圖所示MOS管關(guān)斷時(shí)，由于電容電壓不能突變，電容和12V電源相接C1負(fù)端相對(duì)地為12V ，由于二極管反向截止，正端的對(duì)地電壓為電容充電電壓和電源電壓之和24V ，電容兩端的電壓為12V。

MOS管全橋電路

放電電路

了解了自舉電路之后我們?cè)賮?lái)分析這個(gè)全橋電路就簡(jiǎn)單多了。

C1是自舉電容，它是在Q2導(dǎo)通(此時(shí)Q1必定截止)期間(看作C1下端接地)由12V經(jīng)D1完成充電的，等到Q2截止時(shí)C1下端就與地?cái)嚅_(kāi)了，此時(shí)C1充有幅值等于12V的電壓，就會(huì)上舉使C1正端電位大于12V，因而使D1反偏而截止，這樣C1上的電壓充當(dāng)電源就給Q1柵極提供了正向?qū)ǖ钠珘海筈1導(dǎo)通。

C1充電的條件就是下管Q2導(dǎo)通如果無(wú)此條件(例如占空比變化到Q2始終處于截止?fàn)顟B(tài))C1就自舉不了S1就無(wú)法導(dǎo)通，這時(shí)就要另用獨(dú)立電源來(lái)代替自舉電容。

在編程控制時(shí)特別要注意的是Q1、Q4同時(shí)，Q2、Q4同時(shí)導(dǎo)通且不能交叉同事導(dǎo)通否則會(huì)燒壞MOS管，在功率大時(shí)也要注意MOS管要加散熱片。

IRF2104的控制

由芯片手冊(cè)提供的控制圖(如下圖所示)可知：當(dāng)SD=1時(shí)，即允許使能IR2104芯片時(shí)， Ho的波形與IN波形相同，Lo波形與IN波形則是反相的關(guān)系。

Ho是高電平時(shí)，Lo就是低電平，反之Ho是低電平時(shí)，Lo就是高電平；這樣使能芯片后我們控制輸入端的PWM波形的占空比就可以對(duì)負(fù)載進(jìn)行相應(yīng)的控制了。

MOS管全橋電路