?如何計算電源IC的功率損耗？實例分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-03-25
電源IC的功率損耗計算示例（內置MOSFET的同步整流型IC）
圖中給出了從“電源IC的損耗”這個角度考慮時相關的部分。本次以輸出段的MOSFET內置型IC為例進行說明。相關內容見圖中藍色所示部分。電感除外（因為電感是外置的）。如果計算此前的說明中使用的控制器型IC的損耗的話，是不包括MOSFET和電感損耗的。
要計算損耗時，需要有單獨計算時公式各項相應的值。原則上使用技術規格書中給出的值。
一般情況下，技術規格書的標準值（即IC參數的值）中，包括最小值、典型值、最大值。有些參數只有最小值或最大值，或只有典型值，并非所有的參數都具備這三種值。
關于應該使用這些值的哪個值，可能會有不同的看法，但我認為應該考慮到值的變化/波動，計算最差條件下的損耗。
此次將使用右側給出的值。這些均是以最差條件為前提的值。計算步驟是先按照每種損耗的公式計算各自的損耗，然后再將損耗結果相加。
在本示例中，電源IC的功率損耗約為1W。只要用于計算的數據完整，功率損耗計算并不難。
關鍵要點：
電源IC的功率損耗是單個損耗的總和。
關于計算所用的值，雖然有很多種看法，但應該通過計算最差條件下的損耗進行確認。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
