KCY3104S 40V110A參數資料 SGT工藝 專業制造原廠-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-02-09
KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。從設計研發到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續創新，永不止步！
RDS(on)=1.5mΩ(typ.)@VGS=10V
先進的溝槽技術
低柵電荷
大電流能力
符合RoHS
型號：KCY3104S
工作方式：110A/40V
漏源電壓：40A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流:400A
單脈沖雪崩能量:400mJ
總功耗:125W
漏源擊穿電壓:40V
前跨端導管:50S
柵極電阻：1.0Ω
輸入電容：3950pF
輸出電容：1100pF
反向轉移電容：80pF
1、同步整流
2、直流/直流轉換器
3、其他
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KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。
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