經(jīng)典電路：晶體管載波振蕩電路圖文詳解-KIA MOS管

晶體管載波振蕩電路

（一）

晶體管載波振蕩電路，該振蕩電路設(shè)計(jì)在4.5kHz頻率上，可使用低頻晶體管，使用高頻晶體管對(duì)穩(wěn)定度更有利。

晶體管載波振蕩電路

（二）

LC與晶體管振蕩電路的輸出是發(fā)射機(jī)的載波信號(hào)源，要求它的振蕩十分穩(wěn)定。

一般使用晶振電路，其中Q值可達(dá)數(shù)萬，其頻率穩(wěn)定度可達(dá)10-5～10-6。電路如圖5-1所示。在圖1-1中，晶振JT和C1、C2、C3、VT1構(gòu)成電容三點(diǎn)式振蕩電路，振蕩頻率為3.579MHz。

電路中的R1、R2、R3決定晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)，其中R1可以調(diào)整。

在對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置時(shí)，先設(shè)定集電極電流ICQ，一般ICQ取0.5～4mA，ICQ太大會(huì)引起輸出波形失真，產(chǎn)生高次諧波。設(shè)晶體管β=60，ICQ=2mA，UEQ=（1/2~1/3）Ucc，則可算出R1，R2，R3。

如按下圖所示安裝電路，在調(diào)試中UBQ=8.3V，UEQ=7.7V。

晶體管載波振蕩電路

（三）

所示為小功率發(fā)射機(jī)的晶體管振蕩電路。

它是由載波振蕩器VT1和調(diào)制放大器VT2及電源供電電路等部分構(gòu)成的。

vri是載波振蕩晶體管，它的基極電路中接有LC并聯(lián)諧振電路，微調(diào)CT可以改變載波信號(hào)的頻率，振蕩信號(hào)由VT1的發(fā)射極輸出，經(jīng)耦合電容器送往調(diào)制放大晶體管VT2的基極。

調(diào)制信號(hào)經(jīng)電容器（4.7yF）、電阻器（4.7kfl）和耦合電容器（IOOpF）也加到調(diào)制放大晶體管VT2的基極。載波信號(hào)和調(diào)制信號(hào)在VT2中進(jìn)行幅度調(diào)制（AM），然后由集電極輸出，從天線上將信號(hào)發(fā)射出去。

晶體管載波振蕩電路