場效應管混頻器原理與電路詳細解析-KIA MOS管

場效應管混頻器原理與電路

混頻器一般由輸入信號回路、本機振蕩器、非線性器件和濾波網(wǎng)絡等4部分組成，如圖1所示。這里的非線性器件本身僅實現(xiàn)頻率變換，本振信號由本機振蕩器產(chǎn)生。若非線性器件既產(chǎn)生本振信號，又實現(xiàn)頻率變換，則圖1變?yōu)樽冾l器。

所謂混頻，是將兩個不同的信號（如一個有用信號和一個本機振蕩信號）加到非線性器件上，取其差頻或和頻。

混頻器可根據(jù)所用非線性器件的不同分為二極管混頻器、晶體管混頻器、場效應管混頻器和變容管混頻器等。混頻器又可根據(jù)工作特點的不同，分為單管混頻器、平衡混頻器、環(huán)形混頻器、差分對混頻器和參量混頻器等。

在設計混頻器時應注意如下幾點：

（1）要求混頻放大系數(shù)越大越好。混頻放大系數(shù)是指混頻器的中頻輸出電壓振幅與變頻輸入信號電壓振幅之比，也稱混頻電壓增益。增大混頻放大系數(shù)是提高接收機靈敏度的一項有力措施。

（2）要求混頻器的中頻輸出電路有良好的選擇性，以抑制不需要的干擾頻率。

（3）為了減少混頻器的頻率失真和非線性失真以及本振頻率產(chǎn)生的各種混頻現(xiàn)象，要求混頻器工作在非線性特性不過于嚴重的區(qū)域，使之既能完成頻率變換，又能少產(chǎn)生各種形式的干擾。

（4）要求混頻器的噪聲系數(shù)越小越好，在設計混頻器時，必須按設備總噪聲系數(shù)分配給出的要求，合理地選擇線路和器件以及器件的工作點電流。

（5）要考慮混頻器的工作穩(wěn)定性，如本機振蕩器頻率不穩(wěn)定引起的混頻器輸出不穩(wěn)等。

（6）注意混頻器的輸入端和輸出端的連接條件，在選定電路和設計回路時，應充分考慮如何匹配的問題。場效應管混頻性能比三極管混頻好，原因在于場效應管工作頻率高，其特性近似平方率，動態(tài)范圍大，非線性失真小，噪聲系數(shù)低，單向傳播性能好。

場效應管混頻器實際電路舉例（1）有源混頻器 

200MHz場效應管混頻器電路(有源混頻器) 為提高混頻增益，在下列的A、B電路中輸入、輸出端都有匹配網(wǎng)絡完成阻抗匹配，獲得大的變頻增益；并且L3，C5均諧振ωL，起了抑制本振信號輸出的作用。 電路A)υs，υL均從柵極注入（如圖2所示）。

優(yōu)點：場效應管混頻性能比三極管混頻好，原因在于場效應管工作頻率高，其特性近似平方率，動態(tài)范圍大，非線性失真小，噪聲系數(shù)低，單向傳播性能好。

（1）場效應管平衡混頻（如圖4所示）

（2）場效應管開關(guān)工作時混頻器（無源混頻器）例：場效應管環(huán)形混頻（如圖5所示）

工作原理： υL加到T1，T2，T3，T4的柵極，控制其開關(guān)工作，由于輸入電阻很大，所以本振功率不大；υs和中頻電路υI接在T1-T4的漏極和源極電路中，所以FET管對υs只起到導通和截止的開關(guān)二極管作用(無放大和混頻增益)；

當υL使“a”點為正時，T1,T3導通至低阻區(qū)，c點與f點，d點與e點均相連，此時相當T1,T3構(gòu)成單平衡電路，信號電流按一定的方向和相位流過Tr2；

當υL使“b”點為正時，T2,T4導通，c點與f點，d點與e點均相連，T2,T4構(gòu)成單平衡電路，其電流與T1,T3流過Tr2時正相反。 可見，T1,T3與T2,T4輪流工作，構(gòu)成雙平衡（環(huán)形）混頻器。

優(yōu)點：所需本振功率小，變頻損耗小； 動態(tài)范圍大； 四只場效應管可集中在一個單片上，性能一致，對稱性好。

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