影響MOSFET性能的一些因素-這些知識務必要了解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-10-13
在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進。除了器件結構和加工工藝，MOSFET的性能還受其他幾個周圍相關因素的影響。影響MOSFET性能，這些因素包括封裝阻抗、印刷電路板(PCB)布局、互連線寄生效應和開關速度。事實上，真正的開關速度取決于其他幾個因素，例如切換的速度和保持柵極控制的能力，同時抑制柵極驅動回路電感帶來的影響。
同樣，低柵極閾值還會加重Ldi/dt問題。正因為了解電路中晶體管的性能很重要，所以我們將選用半橋拓撲。這種拓撲是電力電子裝置最常用的拓撲之一。這些例子重點介紹了同步壓降轉換器——一個半橋拓撲的具體應用。
圖1為具備雜散電感和電阻(由封裝鍵合線、引線框以及電路板布局和互連線帶來)等寄生效應的半橋電路。共源電感(CSI)傾向于降低控制FET(高邊FET)的導通和關斷速度。如果與柵極驅動串聯，通過CSI的電壓加至柵極驅動上，可使FET處于導通狀態(條件：V = -Ldi/dt)，從而延遲晶體管的關斷。這也會增大控制FET的功耗，如圖2所示。
更高的功耗會導致轉換效率降低。另外，由于雜散電感，電路出現尖峰電壓的可能性很高。如果這些尖峰電壓超過器件的額定值，可能會引起故障。為了消除或使這種寄生電感最小化，設計人員必須采用類似無引腳或接線柱的DirecFET等封裝形式，并采用使互連線阻抗最小化的布局。與標準封裝不同，DirecFET無鍵合線或引線框。
因此，它可極大地降低導通電阻，同時大幅降低開關節點的振鈴，抑制開關損耗。緩和C dv/dt感應導通影響性能的另一個因素是C dv/dt感應導通(和由此產生的擊穿)。C dv/dt通過柵漏電容CGD的反饋作用(引起不必要的低邊FET導通)，使低邊(或同步)FET出現柵極尖峰電壓。實際上，當Q2的漏源極的電壓升高時，電流就會經由柵漏電容CGD 流入總柵極電阻RG ，如圖3(a)所示。
因此，它會導致同步FET Q2的柵極出現尖峰電壓。當該柵極電壓超出規定的閾值時，它就會被迫導通。圖3(b)顯示的，正是在圖3(a)所示 典型同步壓降轉換器拓撲中，同步FET Q2在這種工作模式下的主要波形。
影響MOSFET性能，另一個可影響電源產品設計的MOSFET性能的因素是布局。例如，不合理的電路板布局可增大電源電路的寄生效應，反過來，增大的寄生效應又會提高電源的開關和導通損耗。此外，它還會提高電磁干擾的噪聲水平，從而使設計出的產品達不到理想的性能。若要最大限度降低電路板布局帶來的影響，設計人員必須確保通過將驅動和MOSFET盡可能地背靠背放置，從而使輸入回路面積最小化，如圖4所示。
圖4右側有一個位于FET下方的小型陶瓷支路，利用過孔形成一個極小的輸入回路。因此，需要將支路電容靠近驅動放置，并將輸入陶瓷電容CIN 靠近高邊MOSFET放置。在這里，控制回路FET相對于同步FET具備更高的優先權。如果將FET并聯，需要確保柵極回路阻抗匹配。
另外，該布局必須采用隔離的模擬接地層和功率接地層，使大電流電路形成獨立的回路，從而不干擾敏感的模擬電路。然后，必須將這兩個接地層與PCB布局的一個點連接。此外，設計人員還必須利用多個過孔，使FET與輸入引腳Vin或接地層連接。電路板上任何未用區域必須灌注銅。總之，封裝阻抗、PCB布局、互連線寄生效應和開關速度都是影響電源電路MOSFET性能的重要因素。
因此，要想在高功率密度條件下獲得最佳的轉換效率，必須在設計MOSFET過程中，充分考慮封裝、電路板布局(包括互連線)、阻抗和開關速度。
F3： 實際上，當Q2的漏源極的電壓升高時，電流就會經由柵漏電容CGD 流入總柵極電阻RG ，如圖3(a)所示。因此，它會導致同步FET Q2的柵極出現尖峰電壓。當該柵極電壓超出規定的閾值時，它就會被迫導通。圖3(b)顯示的，正是在圖3(a)所示 典型同步壓降轉換器拓撲中，同步FETQ2在這種工作模式下的主要波形。
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