MOS管場效應管四個區域詳解及如何判斷MOS管工作在哪個區-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-05-07
下面講述MOS管場效應管的四個區域：
1）可變電阻區（也稱非飽和區）
滿足Ucs》Ucs（th）（開啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預夾斷軌跡左邊的區域其溝道開啟。在該區域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當uGs一定時，ip與uDs成線性關系，該區域近似為一組直線。這時場效管D、S間相當于一個受電壓UGS控制的可變電阻。
2）恒流區（也稱飽和區、放大區、有源區）
滿足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），為圖中預夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區域，在該區域內，當uGs一定時，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恒流特性。i僅受UGs控制，這時場效應管D、S間相當于一個受電壓uGs控制的電流源。場效應管用于放大電路時，一般就工作在該區域，所以也稱為放大區。
3）夾斷區（也稱截止區）
夾斷區（也稱截止區）滿足ucs《Ues（th）為圖中靠近橫軸的區域，其溝道被全部夾斷，稱為全夾斷，io=0，管子不工作。
4）擊穿區位
擊穿區位于圖中右邊的區域。隨著UDs的不斷增大，pn結因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時應避免管子工作在擊穿區。
轉移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在下圖（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點對應的i、Us值在ib- Uss 坐標中連成曲線，即得到轉移性曲線，如圖下（b）所示。
場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但普通運用時只需關注以下主要參數：飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。
（1）飽和漏源電流
飽和漏源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。
（2）夾斷電壓
夾斷電壓UP是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線，可明白看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
（3）開啟電壓
開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明白看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
（4）跨導
跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權衡場效應管放大才能的重要參數。（5）漏源擊穿電壓
漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必需小于BUDS。
（6）最大耗散功率
最大耗散功率PDSM也是—項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。
（7）最大漏源電流
最大漏源電流IDSM是另一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許經過的最大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。
當V_DS>V_GS-V_TH時，溝道中出現夾斷效應，溝道的長度對略微減小。很多場景我們可以忽略這個長度的變化，但是當精度要求比較高的時候，我們就需要把溝道長度的變化考慮進來。看下面式子
因為溝道的有效長度L會隨著V_DS的增大而略微減小，所以I_D會隨著V_DS的增大而略微增大。我們可以用下面式子來表示I_D
這里如果不考慮溝道長度變化，V_A為無窮大，考慮溝道長度變化時，V_A為有限值。I_D隨V_DS的變化的伏安特性曲線為：
1、MOSFET由金屬層-絕緣層-半導體基板三層結構組成。現在絕大多數金屬層以多晶硅取代金屬作為其柵極材料，但是原理不變。絕緣層通常是二氧化硅。
2、MOSFET是對稱的，只有柵極是確定的，哪一端是源級，哪一端是漏極只有加載了電壓才能確定。對于NMOS來說，它靠電子導電，電子的“源泉”定義為源級。所以電壓低的一端是源級，電壓高的一端是漏極。（NMOS和PMOS的特點和區別下期詳細介紹）
3、溝道中電荷數量不是均勻分布的，靠近源級的一端電荷數量多，靠近漏極的一端電荷數量少。
4、當柵極電壓超過源級電壓V_TH時，溝道中就聚集了足夠多的電荷，只要源級和漏極有電壓差，在電壓的驅使下，這些電荷就能流動形成電流。
5、伏安特性曲線表達式：
① 當 V_GS<=V_TH時，稱為截止區，源級與漏極不導電。
② 當 V_GS>V_TH && V_DS<=V_GS-V_TH時，源級和漏極之間導電，I_D即和V_GS有關，又和V_DS有關，稱為三級區。（數字電路通常工作在三級區，關注我，后面會慢慢講到）
③ 當 V_GS>V_TH && V_DS>V_GS-V_TH時，源級和漏極之間導電，溝道中存在夾斷效應，I_D只和V_GS有關（在不考慮溝道長度變化的情況下），此時，MOSFET為一個受控電流源，受V_GS控制，此時稱為飽和區。
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