MOS管 KIA18N50H中文資料 18A/500V-MOS管封裝 價格 廠家-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-04-15
KIA18N50H 是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計的。電壓、高速功率開關應用，如高效開關電源，功率因數校正。
RDS(on)=0.25?@VGS=10V
低柵電荷
快速切換能力
提高了dv/dt能力
工作方式：18A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:72A
峰值二極管恢復dv/dt:4.5V/ns
輸入電容：2500pF
輸出電容：400pF
連續(xù)漏源電流：18A
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