mos管規(guī)格書參數(shù)詳解-圖文讀懂MOS管規(guī)格書每一個(gè)MOS參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-04-02
在了解mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之前，先來看看mos管的每一個(gè)參數(shù)代表什么及說明，mos管除了G、S、D引腳和N溝道m(xù)os管和P溝道m(xù)os管之外還有很多具體的參數(shù)，每個(gè)詳細(xì)參數(shù)如下：
Rds(on)----------DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時(shí)，MOS的DS之間的電阻
Id------------------最大DS電流.會(huì)隨溫度的升高而降低
Vgs----------------最大GS電壓.一般為：-40V~+40V
Idm---------------最大脈沖DS電流.會(huì)隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個(gè)抗沖擊能力，跟脈沖時(shí)間也有關(guān)系
Pd-----------------最大耗散功率
Tj------------------最大工作結(jié)溫，通常為150度和175度
Tstg---------------最大存儲(chǔ)溫度
Iar-----------------雪崩電流
Ear---------------重復(fù)雪崩擊穿能量
Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss------------DS擊穿電壓
Idss---------------飽和DS電流，uA級(jí)的電流
Igss---------------GS驅(qū)動(dòng)電流，nA級(jí)的電流.
gfs----------------跨導(dǎo)
Qg----------------G總充電電量
Qgs--------------GS充電電量
Qgd-------------GD充電電量
Td(on)---------導(dǎo)通延遲時(shí)間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時(shí)間
Tr----------------上升時(shí)間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時(shí)間
Td(off)----------關(guān)斷延遲時(shí)間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時(shí) 10% 的時(shí)間
Tf-----------------下降時(shí)間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時(shí)間
Ciss---------------輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss--------------輸出電容，Coss=Cds +Cgd.
Crss---------------反向傳輸電容，Crss=Cgc.
說明：MOS管漏極和源極最大耐壓值。
測(cè)試條件：在Vgs=0V，柵極和源極不給電壓。
影響：超過的話會(huì)讓MOSFET損壞。
說明：ID的漏電流。
測(cè)試條件：在Vgs=0V，在漏極和源極兩端給48V的電壓。
影響：漏電流越大功耗越大。
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說明：柵極漏電流
測(cè)試條件：在Vgs=+-20V，在漏極和源極兩端不給電壓。
說明：開啟電壓
測(cè)試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響：低于參考值可能出現(xiàn)不導(dǎo)通現(xiàn)象，設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮范圍值。
說明：完全開啟，漏極和源極兩端最大過電流30A，
測(cè)試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響：低于參考值可能出現(xiàn)不導(dǎo)通現(xiàn)象，設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮范圍值。
說明：導(dǎo)通時(shí)，Vds的內(nèi)阻
測(cè)試條件：在Vgs=10V，通過12A的電流；Vgs=4.5V，通過6A的電流，在漏極和源極兩端的內(nèi)阻。
影響：內(nèi)阻越小，MOS過的電流越大，相同電流下，功耗越小。
說明：跨導(dǎo)的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs，是柵極電壓對(duì)源極電流的控制作用大小，
跨導(dǎo)：
線性壓控電流源的性質(zhì)可表示為方程 I=gV ，其中g(shù)是常數(shù)系數(shù)。系數(shù)g稱作跨導(dǎo)（或轉(zhuǎn)移電導(dǎo)），具有與電導(dǎo)相同的單位。 這個(gè)電路單元通常指放大器。
在MOS管中，跨導(dǎo)的大小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。在轉(zhuǎn)移特性曲線上，跨導(dǎo)為曲線的斜率。
說明：MOS管體二極管的正向?qū)▔航?/span>
測(cè)試條件：在VGS=0V，體二極管正向通過1A的電流。
說明：體二極管可承受最大連續(xù)續(xù)電流
測(cè)試條件：
影響：如果偏小，在設(shè)計(jì)降額不充裕的系統(tǒng)中或在測(cè)試OCP，OLP（逐周期電流限制保護(hù)（OCP)，限制最大輸出電流；過載保護(hù)(OLP)，限制最大輸出功率；的過程中會(huì)引起電流擊穿的風(fēng)險(xiǎn)
說明：
Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容
Coss=Cds+Cgd 輸出電容
Crss=Cgd（米勒電容）
影響：Ciss：影響到MOS管的開關(guān)時(shí)間，Ciss越大，同樣驅(qū)動(dòng)能力下，開通和關(guān)斷時(shí)間就越慢，開關(guān)損壞也就越大。較慢的開關(guān)速度對(duì)應(yīng)會(huì)帶來較好的EMI
Coss和Crss：這兩項(xiàng)參數(shù)對(duì)MOSFET關(guān)斷時(shí)間略有影響，其中Cgd會(huì)影響到漏極有異常高電壓時(shí)，傳輸?shù)組OSFET柵極電壓能力的大小，對(duì)雷擊測(cè)試項(xiàng)目有一點(diǎn)的影響。
說明：
Qg：柵極總充電電量
Qgs：柵極充電電量
Qgd：柵極充電電量
tD（on）：漏源導(dǎo)通延遲時(shí)間
tr:漏源電路上升時(shí)間
tD（off）：漏源關(guān)斷延遲時(shí)間
tf:漏源電路下降時(shí)間
影響：參數(shù)與時(shí)間相互關(guān)聯(lián)的參數(shù)，開關(guān)速度越快對(duì)應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)損耗越小，效率高，溫升低，對(duì)應(yīng)的缺點(diǎn)是EMI特性差，MOSFET關(guān)斷尖峰過高。
1.電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。
2.頻率太高，主要是有時(shí)過分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
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