KIA3308A代替HY3008B,國(guó)產(chǎn)MOS管

國(guó)產(chǎn)MOS管KIA3308A代替HY3008B

下文將會(huì)詳細(xì)的介紹國(guó)產(chǎn)MOS管KIA3308A和HY3008B兩個(gè)產(chǎn)品的主要參數(shù)、封裝、應(yīng)用領(lǐng)域等產(chǎn)品信息。KIA半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

已經(jīng)擁有了獨(dú)立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(guó)(臺(tái)灣)超一流團(tuán)隊(duì)，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個(gè)性來設(shè)計(jì)方案，同時(shí)引進(jìn)多臺(tái)國(guó)外先進(jìn)設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測(cè)、雪崩能量檢測(cè)、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。

強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái)，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉(cāng)儲(chǔ)物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

國(guó)產(chǎn)MOS管KIA3308A產(chǎn)品特征

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

提供無鉛環(huán)保設(shè)備

降低導(dǎo)電損耗的低RD值

高雪崩電流

國(guó)產(chǎn)MOS管KIA3308A應(yīng)用領(lǐng)域

電力供應(yīng)

直流變換器

國(guó)產(chǎn)MOS管KIA3308A封裝

國(guó)產(chǎn)MOS管KIA3308A主要參數(shù)

型號(hào)：KIA3308A

電流：80A

電壓：80V

漏源極電壓:80V

柵源電壓:±25

脈沖漏電流：340A

雪崩電流:20A

雪崩能源:410MJ

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KIA3308A代替HY3008B-HY3008B產(chǎn)品主要參數(shù)

電流：100A

電壓：80V

漏源極電壓:80V

柵源電壓:±25

二極管連續(xù)正向電流:100A

漏極擊穿電壓：80V

柵極電阻：1.0?

HY3008B封裝圖

HY3008B產(chǎn)品規(guī)格書

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