mos管引腳區(qū)分-mos管三個(gè)引腳性能好壞如何快速判斷解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2018-11-07
mos管引腳區(qū)分，首先我們了解一下是什么及它的工作原理這些基礎(chǔ)知識(shí)。MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，描述了集成電路中的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
MOS管的工作原理（以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管）它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
1、MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方 。G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。
2、他們是N溝道還是P溝道？
三個(gè)腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當(dāng)然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個(gè)腳極性。先判斷是什么溝道，再判斷三個(gè)腳極性。
3、寄生二極管的方向如何判定？
接下來(lái)，是寄生二極管的方向判斷：它的判斷規(guī)則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。
4、簡(jiǎn)單的判斷方法，上面方法不太好記，一個(gè)簡(jiǎn)單的識(shí)別方法是：想像DS邊的三節(jié)斷續(xù)線是連通的）不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。
1、用10K檔，內(nèi)有15伏電池?？商峁?dǎo)通電壓。
2、因?yàn)闁艠O等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái)，否則是壞管。
3、利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時(shí)需短路管腳或反充。
4、大都源漏間有反并二極管，應(yīng)注意，及幫助判斷。
5、大都封莊為字面對(duì)自已時(shí)，左柵中漏右源。以上前三點(diǎn)必需掌握，后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用，很快就能判管腳，分好壞。
如果對(duì)新拿到的不明MOS管，可以通過(guò)測(cè)定來(lái)判斷腳極，只有準(zhǔn)確判定腳的排列，才能正確使用。
①柵極G的測(cè)定：用萬(wàn)用表R&TImes;100檔，測(cè)任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測(cè)得電阻為數(shù)百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。
②漏極D、源極S及類型判定：用萬(wàn)用表R&TImes;10kΩ檔測(cè)D、S問(wèn)正反向電阻，正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測(cè)反向電阻時(shí)，紅表筆不動(dòng)，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現(xiàn)兩種情況：
a．若讀數(shù)由原來(lái)較大值變?yōu)?（0×10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。
b．若讀數(shù)仍為較大值，黑表筆不動(dòng)，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時(shí)若讀數(shù)為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。
MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，描述了集成電路中的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開(kāi)關(guān)。
有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
在一般電子電路中，通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。
目前在主板或顯卡上所采用的并不是太多，一般有10個(gè)左右，主要原因是大部分被整合到IC芯片中去了。由于主要是為配件提供穩(wěn)定的電壓，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和內(nèi)存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管，而內(nèi)存插槽則共用了一組MOS管，一般是以兩個(gè)組成一組的形式出現(xiàn)主板上的。
還有一個(gè)非常重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由于CPU頻率的提高，MOS管需要承受的電流也隨著增強(qiáng)，提供近百A的電流已經(jīng)很常見(jiàn)了。
優(yōu)質(zhì)的MOS管可以接受的電流峰值更高。普通狀況下我們要判別主板上MOS管的質(zhì)量上下，能夠看它能接受的最大電流值。影響MOS管質(zhì)量上下的參數(shù)十分多，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無(wú)法標(biāo)注這么多參數(shù)，所以在MOS管外表普通只標(biāo)注了產(chǎn)品的型號(hào)，我們能夠依據(jù)該型號(hào)上網(wǎng)查找詳細(xì)的性能參數(shù)。 還要闡明的是，溫度也是MOS管一個(gè)十分重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由于CPU頻率的進(jìn)步，MOS管需求接受的電流也隨著加強(qiáng)，提供近百A的電流曾經(jīng)很常見(jiàn)了。如此宏大的電流經(jīng)過(guò)時(shí)產(chǎn)生的熱量當(dāng)然使MOS管“發(fā)燒”了。為了MOS管的平安，高質(zhì)量主板也開(kāi)端為MOS管加裝散熱片了。
經(jīng)過(guò)上面的引見(jiàn)，我們知道MOS管關(guān)于整個(gè)供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用，但是MOS管不能單獨(dú)運(yùn)用，它必需和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才干發(fā)揮充沛它的優(yōu)勢(shì)。 主板上的PWM(PlusWidthModulator，脈沖寬度調(diào)制器)芯片產(chǎn)生一個(gè)寬度可調(diào)的脈沖波形，這樣能夠使兩只MOS管輪番導(dǎo)通。當(dāng)負(fù)載兩端的電壓(如CPU需求的電壓)要降低時(shí)，這時(shí)MOS管的開(kāi)關(guān)作用開(kāi)端生效，外部電源對(duì)電感停止充電并到達(dá)所需的額定電壓。當(dāng)負(fù)載兩端的電壓升高時(shí)，經(jīng)過(guò)MOS管的開(kāi)關(guān)作用，外部電源供電斷開(kāi)，電感釋放出方才充入的能量，這時(shí)的電感就變成了“電源”，繼續(xù)對(duì)負(fù)載供電。隨著電感上存儲(chǔ)能量的不時(shí)耗費(fèi)，負(fù)載兩端的電壓又開(kāi)端逐步降低，外部電源經(jīng)過(guò)MOS管的開(kāi)關(guān)作用又要充電。這樣循環(huán)不時(shí)地停止充電和放電的過(guò)程，從而構(gòu)成一種穩(wěn)定的電壓，永遠(yuǎn)使負(fù)載兩端的電壓不會(huì)升高也不會(huì)降低。
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