MOSFET驅(qū)動方式
信息來源：本站 日期：2017-04-10
MOSFET驅(qū)動方式：
驅(qū)動方式是對簡易方式的一種初步改進,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保證較高的開通速度。驅(qū)動方式可進一步改善驅(qū)動性能,不但關(guān)斷時間可以進一步縮短,開通時間與關(guān)斷時間的差別也通過互補電路而消除。同時,在這種驅(qū)動方式中的兩個外接晶體管起著射極跟隨器的作用,因而功率MOSFET永遠不會被驅(qū)動到飽和區(qū)。由于互補方式增加了驅(qū)動功率,這種方式更適合于大功率MOSFET的驅(qū)動。
而這種方式可以產(chǎn)生足夠高的柵壓使器件充分導通,并保證較高的關(guān)斷速度。由于外接負載電阻RL須有一定大小,以限制TTL的低電平輸出晶體管的功率耗散,因而這種驅(qū)動方式的開通速度不夠高。不過,對感性負載的開關(guān)電路來說,出于對動態(tài)損耗的考慮,關(guān)斷速度的重要性就是要強一些。
MOSFET注意要點：
驅(qū)動電路的有關(guān)問題MOSFET管工作在高頻時,為了防止振蕩,有兩點必須注意:第一,盡可能減少MOSFET各端點的連接線長度,特別是柵極引線,如果無法使引線縮短,則可按圖1所示,靠近柵極處串聯(lián)一個小電阻以便控制寄生振蕩;第二,由于MOSFET的輸入阻抗高,驅(qū)動電源的阻抗必須比較低,以避免正反饋所引起的振蕩,特別是MOSFET的直流輸入阻抗非常高,但它的交流輸入阻抗是隨頻率而改變的,因此MOSFET的驅(qū)動波形的上升和下降時間與驅(qū)動脈沖發(fā)生器阻抗有關(guān)。另外,MOSFET的柵—源極間的硅氧化層的耐壓。
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